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LPCVD化學相沉積設備

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發(fā)布時間:2014-3-10 8:53:52

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產品詳情:
  用途:用于半導體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備
特點:一次設定自動完成,可另配氣柜。真空系統可選配進口機組
主要技術指標:制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜;溫度:400~900℃;
恒溫區(qū)600mm±0.5℃;真空系統機械泵+羅茨泵,配有抽氣冷井;
控溫器采用進口5吋觸摸屏;通入氣體SIH4/NH3/N2;
進口質量流量計控制;閥門用進口氣動閥和減壓閥;動作順序為PLC編程控制;
薄膜壓力控制器加閥閉環(huán)控制壓強

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